型号:IRFS31N20DPBF | 类别:FET - 单 | 制造商:International Rectifier |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
系列 | HEXFET® |
制造商 | International Rectifier |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 31A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 82 毫欧 @ 18A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 107nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2370pF @ 25V |
功率_最大 | 3.1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市科思奇电子科技有限公司 | 林小姐/朱先生0755-83245050/82785939 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市大唐盛世半导体有限公司 | 张先生13008842056 |
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深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
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