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电子元器件详细资料 » IC[20362] » IRFS31N20DPBF
型号:IRFS31N20DPBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C31A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C82 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs107nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2370pF @ 25V
功率_最大3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装D2PAK
包装管件

供应商

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深圳市科恒伟业电子有限公司柯0755-88917652分机801-83200050
深圳市大唐盛世半导体有限公司张先生13008842056
现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
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